si Vcc es mayor que VB (por ejemplo, con un Arduino de 5V intentamos conmutar una carga de 12V) no podremos conmutar el transistor porque VB nunca será mayor que VE. Y mejor, porque pondríamos Vcc en el Pin, y podríamos dañarlo. En ese caso, necesitaríamos una preamplificación, por ejemplo con un NPN.
Respecto a la resistencia de la base Rb, sirve para regular la intensidad que atraviesa la base del transistor. La elección de su valor es crítica para el correcto funcionamiento del circuito. Calcularemos el valor de esta resistencia a continuación.
int pin = 2;
int value = 0;
void setup() {
Serial.begin(9600); //iniciar puerto serie
pinMode(pin, INPUT); //definir pin como entrada
}
void loop(){
value = digitalRead(pin); //lectura digital de pin
//mandar mensaje a puerto serie en función del valor leído
if (value == HIGH) {
Serial.println("Encendido");
}
else {
Serial.println("Apagado");
}
delay(1000);
}
Los transistores MOSFET no es que hayan reinventado nada, pero tienen ciertas ventajas sobre los transistores BJT que los hacen una muy buena alternativa, también tienen desventajas.
1. BJT es básicamente un dispositivo accionado por corriente, sin embargo, MOSFET se considera como un dispositivo controlado por voltaje.*9
2. Los terminales de BJT se conocen como emisor, colector y base, mientras que MOSFET está hecho de compuerta, fuente y drenaje.3. En la mayoría de las nuevas aplicaciones, se utilizan MOSFET que BJT.
4. MOSFET tiene una estructura más compleja en comparación con BJT.
5. MOSFET es más eficiente en el consumo de energía que los BJT y, por lo tanto, se utiliza en la lógica CMOS.
6. BJT es bipolar, es decir, hay un flujo de electrones portadores de carga minoritarios y mayoritarios, mientras que MOSFET es unipolar, es decir, hay un flujo de electrones portadores solo mayoritarios.
7. BJT significa transistor de unión bipolar y El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Esto significa que al igual que los BJT puede ser utilizado tanto como amplificador como de un interruptor controlado eléctricamente.
8. En la mayoría de las nuevas aplicaciones, se utilizan MOSFET que BJT. El transistor MOSFET es el más empleado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, superando al transistor bipolar o BJT. De hecho, prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales actuales están basados en transistores MOSFET. El MOSFET es eficiente en el consumo de energía que los BJT y, por lo tanto, se utiliza en la lógica CMOS.
9. El transistor MOSFET es una subfamilia de los transistores de efecto campo o FET (del inglés field-effect transistor). Estos transistores usan el campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal. Eso significa que utilizan una tensión como señal de entrada, el MOSFET se considera como un dispositivo controlado por voltaje (la impedancia de entrada de MOSFET es mucho mayor en comparación con el BJT), sin embargo, el BJT es básicamente un dispositivo accionado por corriente.
10. Voltaje umbral de compuerta (Threshold Voltage) de un transistor MOSFET: Este es el voltaje de compuerta mínimo que se necesita para lograr la conducción entre los terminales de drenador y fuente. Por debajo de ese voltaje el transistor se comportará como un circuito abierto o cerrado dependiendo del tipo. Este es uno de los parámetros más importantes ya que determina los voltajes necesarios para encender y apagar el transistor MOSFET.
Si VGS≤VT, el transistor MOSFET, estará en la región de corte y la corriente ID=0.
Si VGS≥VT, el transistor MOSFET, estará en la región de conducción y se pueden dar dos casos:
a) Si VDS≥VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en la región de saturación y la corriente será constante para un valor determinado de VGS. La curva de transferencia de la figura que representa ID=ƒ(VDS)VGS=cte., se obtiene a partir de las curvas de salida para una tensión VDS constante que sitúe al transistor en saturación. Se observa que aproximadamente corresponde a la curva de una parábola con vértice en VT y por tanto, la corriente puede determinarse de forma aproximada por:
ID=k(VGS-VT2
donde k es el parámetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en mA/V2.
b) Si VDS≤VGS-VT, el transistor MOSFET, estará en la región óhmica de forma que, al aumentar VDS, también lo harán la corriente y la resistencia del canal. El comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el canal entre Drenador y Fuente.
